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DIGITIMES報道稱,據存儲廠商人士披露,三星電子近期已經開始聯合閃存控制器設計合作伙伴,試產35nm工藝NAND閃存。此信號標志著閃存的30nm級工藝競賽已經開跑。伴隨工藝的提昇,NAND閃存的主流容量也將昇至32Gb。
據稱,東芝將從7月開始讓NAND閃存生產線馬力全開,而三星很可能也會同樣提高產量。有消息稱,東芝增產的原因主要是為了供應苹果的iPhone 3GS手機。從iPhone 3GS的拆解中我們就可以看到東芝閃存的身影,而這款搭載16GB或32GB閃存的手機上市三天已達百萬銷量,NAND需求量可見一斑。
曝料人士分析,東芝的3-bit-per-cell技術MLC閃存可在一個存儲單元內保存3bit數據,能夠有效提高存儲容量,降低成本,對三星的閃存霸主地位產生了威脅。早在今年2月,東芝就宣布了32nm 3-bit-per-cell工藝,預計在今年下半年就可以開始批量生產。
根據存儲顆粒交易跟蹤網站DRAMeXchange的統計,六月下半月以來,主流容量16Gb的MLC NAND閃存顆粒價格保持在4.06美元橫盤,而32Gb MLC顆粒價格則將在7美元上下,-3.33%到2.5%的幅度間浮動。