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Intel正式發布了全球首批基於34nm MLC NAND閃存新工藝的固態硬盤。從50nm進化到34nm,從技術角度上是更小的核心面積和更高級的工程設計,對消費者來說則是更低的價格:新舊產品之間的差價幅度最高超過60%。
首批34nm固態硬盤只有2.5寸主流系列X25-M,容量仍保持在80GB和160GB,但改用了新的控制器和固件,性能因此大有提昇,比如讀取延遲從85微秒縮短到65微秒,寫入延遲從115微秒縮短到85微秒,4KB隨機讀取IOPS 35000、寫入6600(80GB)/8600(160GB),抗衝擊力也從1000G/0.5s提高到1500G/0.5s,不過持續讀寫速度仍為250MB/s和70MB/s。
至於功耗,可能會讓大家失望了。34nm X25-M的負載功耗保持150mW不變,但因為新控制器的緣故,待機功耗從60mW增加到了75mW,不過新控制器對環保也不是沒有貢獻,至少已經消除了原來使用的鹵素,或許能因此得到苹果的采納了。
34nm X25-M 80/160GB產品編號SSDSA2MH080G2/SSDSA2MH160G2,建議零售價225/440美元,比起一年前發布的50nm版本的595/945美元分別降低了62%和53%。廉價固態硬盤時代也許就在不遠的前方。
新工藝版1.8寸規格X18-M系列將在本季度晚些時候出貨,但320GB大容量版本何時發布尚不清楚,另外企業級X25-E何時昇級新工藝也不得而知。
Intel還計劃在未來發布新版固件,支持Windows 7 Trim優化命令,並提供終端用戶工具,用於優化固態硬盤在Windows XP/Vista之下的性能。
34nm X25-M
34nm X25-M
主要性能規格
相較於50nm版本性能提昇
兩代固態硬盤參數對比
部分固態硬盤產品價格容量比
固態硬盤時代真的要來了……