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AnandTech今早收到了一份聯邦快遞,打開之後是這個:
沒錯,就是Intel剛剛發布的34nm工藝第二代固態硬盤X25-M(下稱X25-M G2)。下邊我們對比第一代50nm工藝產品(下稱X25-M G1),看看內外部構造和讀寫性能有何不同。
從外表上看,X25-M G2拋棄了此前的黑白兩色方案,改為銀色和白色,據說更加環保。
X25-M G2的四周邊框上還加裝了塑料墊圈(高科技塑料圈),用於安裝在9毫米2.5英寸驅動位,擰下四周的螺絲將其拿掉後可安裝在7毫米2.5寸驅動位裡。
今天對比的兩款X25-M都是160GB容量,但內部構造大為不同。50nm X25-M G1 PCB正反兩面各安裝了10顆MLC NAND閃存芯片(編號『29F64G08FAMC1』),單顆容量8GB,而34nm X25-M G2的單顆芯片容量翻番到了16GB(編號『29F16B08JAMD1』),因此只在正面安裝了10顆,背面留空。很顯然,一旦Intel和美光聯合投資的34nm NAND生產線完全開工,Intel就可以再放上去10顆芯片,推出320GB型號。
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裝有控制器的正面大同小異,但X25-M G1在閃存芯片和控制器周圍使用的黑膠狀物體也不見了,但還不清楚這東西的具體用途,可能是一種保護措施,也可能是輔助散熱手段。
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X25-M G2使用了新控制器,編號從『PC29AS21AA0』改為『PC29AS21BA0』,不過物理封裝沒有任何變化。
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板載緩存變化不小,之前用的是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3),現在則改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪,容量上去了,速度卻下來了。
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控制器是固態硬盤的核心部件,但Intel的一直都是只為自己所用,不像三星、Indilinx那樣授權賣給其他廠商。以下就是市面上常見的一些固態硬盤和控制器:
衡量固態硬盤性能的指標一般有四個,隨機讀取、隨機寫入、持續讀取和持續寫入,其中前兩項表現在大量小文件(比如4KB)的處理上,後兩項則對應大文件處理(比如藍光電影)。一塊優秀的固態硬盤必須在這四方面都表現不俗,但事實上很難,大多都是只有部分指標很好,
本次測試使用的工具是IOMeter,並爭取不放過硬盤上的每一個LBA和Page。
持續讀取速度:應該是受制於SATA 3Gbps,X25-M G2/G1在這方面表現基本沒有差別,看來只能期待SATA 6Gbps盡快普及了。
持續寫入速度:這個一直是MLC NAND閃存型的X25-M和(X18-M)系列的軟肋,新款提昇了7%,但仍遠遠落後於其他固態硬盤,即使相比西部數據VelociRaptor 300GB也相差甚遠。
不過另一方面,SLC NAND閃存型的企業級X25-E 64GB的成績是最好的。
隨機讀取速度:Intel固態硬盤在應付小文件隨機讀寫方面得心應手,此番有了10%的提昇後,X25-M G2已經超過了X25-E,以58.5MB/s高居第一。對比其他廠商的MLC型固態硬盤,X25-M G2最少也能領先50%。
傳統機械硬盤在這個問題上就完全拿不出手了,即使西數VelociRaptor 300GB也只有可憐兮兮的0.68MB/s,相當於X25-M G2的一個零頭。
隨機讀取延遲:和隨機讀取速度是一脈相承的,X25-M G2再次躍昇第一,只有0.2ms,而西數硬盤高達17.3ms,不得不從圖表中移除。
隨機寫入延遲:X25-M G2大幅提昇了將近40%,再次超過X25-E,而基於三星或Indilinx控制器的其他固態硬盤完全被甩開。
小結:
第一代50nm X25-M發布之初就給我們留下了深刻的印象,成為固態硬盤領域的一個標杆,現在昇級到34nm之後更是有了近乎全面的提昇(0-40%),拉大了與同類產品的距離。唯一遺憾的就是持續寫入性能依然太弱,連機械硬盤都趕不上。
當然這裡只是理論性能測試,實際應用中根據環境不同估計提昇幅度會在0-10%。