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據報道,三星今天宣布他們已經研發出業界首個用於SD存儲卡的20nm級工藝32Gb NAND閃存芯片。
三星稱,和30nm級MLC NAND閃存芯片相比,新研發出的20nm級32Gb閃存芯片產能上可提昇50%,基於該芯片的SD卡寫入速度提高30%至10MB/s,讀取速度20MB/s。與此同時,新工藝芯片在采用尖端處理工藝、設計和控制器技術後,耐用性上與30nm級相當。
2009年3月,三星率先生產30nm級32Gb NAND閃存芯片。目前,他們也已經開始出貨基於20nm級32Gb NAND閃存芯片的SD存儲卡樣品,新卡的容量在4GB-64GB,預計今年晚些時候實現量產。
三星表示,新20nm級32Gb NAND閃存芯片日後還將用於高性能存儲卡、智能手機和高端IT應用。