AMD Llano將主要面向筆記本電腦市場。根據Cloran先生介紹，Llano將率先推向筆記本電腦市場，然後再進軍臺式機市場。因此作為下一代主流的筆記本電腦處理器，AMD也十分重視Llano的功耗控制。AMD已經公布Llano將會使用32nm K10核心技術。但是在功耗控制方面與以前的AMD K10完全不同。為了有效控制Llano的功耗，AMD公司在三個方面進行了努力：生產工藝、電路設計水平以及架構。比如在生產工藝上，使用的是GLOBALFOUNDRIES的32nm SOI「High-k Metal-Gate (HKMG)」工藝，從而有效降低了晶體管漏電(Leakage)。 在電路設計通過LC-RVt晶體管的使用實現了漏電的減少，同時支持更深的待機。而在架構方面則可以實現更加精細的功耗控制。

　　因此與45nmK10核心相比的話，32nm Llano核心的功耗降低了許多。其中漏電減少68％。總之Llano的CPU核心無論是在待機或是在運行的時候功耗均得到了大幅下降。

45nm與32nm核心功耗對比

　　同時在架構有關性能的部分，Llano K10核心相對於當前的K10核心也進行了擴展。雖然擴展部分並不大，不過效率上的提昇佔據了很重要的部分。首先就是順序執行指令的數量由之前的74條提昇至84條。同時整數浮點(FP)實際執行量也得到了提昇。整數運算除了硬件化以外，浮點運算(FP)指令等待時間也有縮短。

32nmK10核心

　　雖然核心進行了擴展，但是CPU核心的內部布局基本沒有變化。這點通過下面的對比圖就可以看出。

32nm與45nm K10核心對比

　　主要的變化就是核心尺寸的縮小。AMD K8/K10系列CPU核心通過生產工藝的提昇，核心面積不斷縮小，通過32nm工藝核心面積終於降至了10平方毫米。與同樣基於32nm的Sandy Bridge相比，CPU核心面積只有其一半左右。(Sandy Bridge CPU核心內置有L2緩存)。因此AMD Llano雖然核心面積與Sandy Bridge相近，但是卻可以配備更大面積的GPU核心。