高頻低能 DDR2內存技術概論篇[圖]-IT浪潮-北方網
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高頻低能 DDR2內存技術概論篇[圖]


http://www.enorth.com.cn  2006-11-23 14:29

  自從今年下半年AMD發布了支持DDR2內存的AM2處理器後,DDR2的時代就真正到來了。而一直被稱為高頻低能的DDR2內存又如何搶佔了DDR的市場,成為目前銷量最大,賣場中最受歡迎的內存呢?讓我們來一同分析一下。


DDR與DDR2內存

  DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標准,它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是,雖然同是采用了在時鍾的上昇/下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預取)。換句話說,DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,並且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

  此外,由於DDR2標准規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝能提供更為良好的電氣性能與散熱性能,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展,前端總線對內存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

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編輯:趙國棟
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