高頻低能 DDR2內存技術概論篇[圖]

一、延遲問題

　　從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。4bit Prefetch可以認為是端口數據傳輸率和內存Cell之間數據讀/寫之間的倍率，也就是把幾個cell送來的數據進行排序。Prefetch的實現機制中，數據先輸入到I/O緩衝寄存器，再從I/O寄存器輸出。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鍾的上昇延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。

　　這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。

二、封裝和發熱量

　　DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提昇，突破標准DDR的400MHz限制。

DDR與DDR2內存顆粒及針腳等細節對比

　　DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電阻，這會影響它的穩定性和頻率提昇的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHz的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

　　DDR2內存采用1.8V電壓，相對於DDR標准的2.5V，降低了約50%，從而明顯降低了功耗和發熱量，這一點變化是意義重大的。想想看，誰不願意讓自己計算機內的硬件又涼快又省電呢？