高頻低能 DDR2內存技術概論篇[圖]

　　除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

　　OCD(Off-Chip Driver)：也就是所謂的離線驅動調整。它是一些調整電壓而平衡的I/O驅動電阻。DDR II通過調整上拉(Pull-up)/下拉(Pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。也就是Pull-up=Pull-down。實現最少DQ-DQS畸變，改進了信號的完整性，並且通過控制overshoot、undershoot和I/O驅動電壓校驗，改進信號的質量。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。

　　ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。

　　Post CAS：它是為了提高DDR2內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)後面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。

　　在上圖正常的操作中，此時的各項內存參數為：tRRD=2，tRCD=4，CL=4，AL=0，BL=4(BL就是突發數據長度，Burst Length)。我們看到tRRD(RAS到RAS的延遲)為兩個時鍾周期，tRCD(RAS到CAS的延遲)是四個時鍾周期，因此在第四個時鍾周期上面ACT(段激活)和CAS信號產生了碰撞，ACT向後移動一個時鍾周期，因此大家可以看到後面的數據傳輸中間出現了一個時鍾周期的BUBBLE。

　　在Post CAS操作中，CAS信號(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)後面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。從上圖的時序可以看出，Post CAS和Additive Latency的好處。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。

　　使用Post CAS加Additive Latency會帶來三個好處：可以很容易的取消掉命令總線上的Collision(碰撞)現象；提高了命令和數據總線的效率；沒有了Bubble，可以提高實際的內存帶寬。