三星首創30nm 64Gb NAND閃存芯片

　　三星電子近日在閃存技術領域再次取得重大突破，研發成功了全球首款64Gb容量的MCL NAND閃存芯片，並開創性地使用了30nm工藝。

　　單顆芯片達到64Gb後，三星只需16顆這種芯片就可以生產128GB的大容量存儲卡。

　　為了將生產工藝改進到30nm，三星應用了新的『自對准雙曝光技術』(SaDPT)，融自對准技術和193nm波長光源ArF兩次曝光技術於一身。

　　三星稱，這種創新性的芯片要到2009年纔會投產。