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三星電子今天宣布,推出兩款針對移動設備的大容量存儲方案,包括一款容量高達64GB的moviNAND閃存芯片以及一款32GB的MicroSD存儲卡,均使用了『30nm級』閃存,但並未透露具體是34nm還是其他3x nm工藝。
三星表示,其業界容量最大的64GB moviNAND閃存顆粒厚度僅為1.4mm,但其內部實際上是由17層厚度僅為30微米的芯片堆疊封裝而成,包括16層『30nm級』32Gb MLC NAND閃存顆粒以及一層專用控制器。該顆粒采用了三星專利的moviNAND嵌入式閃存技術,可提供64GB、32GB、16GB、8GB和4GB容量。
同時宣布的這款32GB MicroSD卡采用9層堆疊封裝,包括8層32Gb閃存和一層控制器,而該卡厚度僅為1mm,而插入手機內的部分實際厚度僅為0.7mm。
三星稱,64GB moviNAND閃存已從去年12月開始量產,而32GB MicroSD卡則從即日起開始向OEM廠商提供樣品,下月量產。